Die Halbleiterhersteller versuchen seit geraumer Zeit, die vorhandene Technik auszureizen. Intel ging z.B. mit dem 34-Nanometer-Chip voran. Um eine höhere Speicherkapazität zu erreichen, müssen die Strukturbreiten zwischen den Leitern verringert werden, um so die Transistoren dichter zu packen. Mit einer Strukturbreite von 34nm konnte die Kapazität bereits verdoppelt werden, verglichen mit früheren Breiten. Je mehr Flash-Bausteine auf gleicher Fläche möglich werden, desto höher wird auch das Speichervolumen klettern.
Diese Entwicklung wird natürlich auch begleitet von Problemen mit Material und die Erreichung von den Grenzen des Machbaren. Weiterhin werden Fertigungsverfahren aufwendig, was die Kosten zusätzlich erhöht.
Die Firma Nanotech entwickelt derzeit an nanomechanischen Datenträgern. Ganz abstrakt werden dabei kleine Spitzen, die auf Silizium-Zangen sitzen, auf einen Polymerfilm gebracht. Mithilfe der erzeugten Zustände können Einzelbits codiert werden. Nanotech geht davon aus, dass damit eine enorme Steigerung der Kapazität möglich ist, evtl. bis in den Terabyte-Bereich. Zudem können diese Verfahren in den bereits bestehenden Fertigungsstätten durchgeführt werden.
